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重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片

   据重庆日报报导,现在,重庆邮电大学实验室已成功研制第三代半导体氮化镓功率芯片。     重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义泄漏,“现在,实验室已成功研制第三代半导体氮化镓功率芯片,这也是___功率半导体、轿车电子工业开展的新式方向。”据悉,第三代半导体功率芯片首要运用在轿车电子、消费电源、数据中心等方面,具有体积小、效率高、用电量少等特色。     “这款功率半导体芯片电量能节约10%以上,面积是硅芯片的1/5左右,开关速度提高10倍以上。”黄义泄漏,现在该项目现已到了试验性运用阶段,未来有望在各种电源节能范畴和大数据中心运用。
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